Name: Vishay Siliconix SIA430DJT-T4-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA430DJT-T4-GE3
Price: 0.1781 USD
Availability: OutOfStock

Vishay Siliconix SIA430DJT-T4-GE3

Artikelnummer:

SIA430DJT-T4-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK

Datenblätte:

1.SIA430DJT-T4-GE.pdf ···: Datenblätter
SIA430DJT.pdf

RoHs Status:

ROHS3 -konform

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SIA430DJT-T4-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIA430DJT-T4-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® SC-70-6
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)	3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® SC-70-6
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Ta), 12A (Tc)
Grundproduktnummer	SIA430

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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